Itnewsrussia.ru

Анализ современных технологий

Поглощение света полупроводниками

В основе метода температурного изменения поглощения света полупроводниками лежит физическое явление смещения границы полосы поглощения полупроводников λх при изменении температуры окружающей среды Т Для света с более короткой длиной волны, поглощение усиливается, причем по мере роста температуры Т граница полосы поглощения

отодвигается в сторону более длинных волн. Проводившиеся исследования поведения полупроводников в сильных электромагнитных полях показали, что в полупроводниках носители зарядов взаимодействуют с полями, в результате чего происходит нагревание полупроводников. При создании устройств измерения температуры в условиях воздействия сильных электромагнитных полей на основе этого метода является обязательным наличие системы экранировки чувствительного элемента полупроводника.

Популярное:

Модификация метода наименьших квадратов Прони При передаче и хранении аналоговых сигналов могут происходить искажения или потери участков данных Это могут быть нерегулярные сбои в телеметрических каналах, механические повреждения носителей аудиозаписей (аудиокассет или грампластинок) и другие подобные ситуации, общим в которых является нерегулярность следования поврежден ...