Itnewsrussia.ru

Анализ современных технологий

Изучение параметров полевых транзисторов

Таблица 1

Задание №2

Второе задание заключалось в построении выходных характеристик транзистора . Зависимости были получены при двух различных напряжениях затвора. Полученные результаты представлены в таблице 2 и на рисунке 2.

Погрешности значений определяются приборной погрешностью и по абсолютному значению равны: и . По выходной характеристике при отсутствии напряжения на затворе () можно определить минимальное сопротивление канала . Оно равно дифференциальному сопротивлению этой зависимости в начале координат (рис. 2). Используя метод сплайн-функций, мы численно подсчитали производную и получили:Rk0 = 53 КОм. Напряжение насыщения для данной кривой .

Для того чтобы найти напряжение отсечки, мы построили зависимость при (рис. 2). Максимальный ток равен . Проэкстраполировав полученную зависимость, мы нашли напряжение отсечки Uотс = -(4.1 ± 0.2)В.

Крутизна вычисляется как производная зависимость , и при Uз = 10В равна

S = (1.4 ± 0.1) 10-4 А/В.

Таблица 2

Рис 2 зависимость

Таблица 3

19313842434343

             

1234567

             

15252729303030

             

1234567

             

10141617181818

             

1234567

             

4.05.56.36.97.47.78.18.48.68.9

                   

12345678910

                   

0.090.200.320.450.580.710.830.95

               

12345678

               
Перейти на страницу: 1 2 3

Популярное:

Автоматизация технологических процессов в условиях технологического комплекса КК-АДСК-МНЛЗ ПАО МК Азовсталь, г. Мариуполь Автоматизация управления технологическими процессами и производством играет важную роль в непрерывном увеличении выпуска продукции в нашей стране. Интенсификация и усложнение технологических процессов, рост единичной мощности агрегатов и повышение требований к качеству готовой продукции в соответствии с международными стандартами де ...