Itnewsrussia.ru

Анализ современных технологий

Выбор элементной базы

Положительный температурный коэффициент VCEsat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении)

Очень малые емкости Cies, Coes, Cres

Исключено защелкивание

Быстродействующие диоды, выполненные по запатентованной технологии CAL (управляемый осевой ресурс), с плавным восстановлением

Изолированная медная базовая пластина, выполненная с использованием технологии DBC (непосредственное медное соединение) без жесткой формовки

Большой зазор (10 мм) и путь утечки (20 мм)

В таблице 1.6 указаны рабочие характеристики IGBT транзистора

Таблица 4.6 Рабочие характеристики SKM75GB063D

Обозначение

Наименование

Условия снятия характеристики

мин.

ном.

макс.

Единица измерения

IGBT-транзистор

VGE(th)

пороговое напряжение затвор-эмиттер

VGE = VCE, IC = 1 мА

4,5

5,5

6,5

В

ICES

коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C

 

0,1

0,3

мА

VCE(TO)

постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер

Tj = 25 (125) °C

 

1,05 (1)

 

В

rCE

дифференциальное сопротивление открытого канала

VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C

 

14 (18,7)

 

мОм

VCE(sat)

напряжение коллектор-эмиттер насыщения

ICnom = 75 A, VGE = 15В, на уровне кристалла

 

2,1 (2,4)

2,5 (2,8)

В

 

Cies

входная емкость

при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц

 

4,2

 

нФ

Coes

выходная емкость

 

0,5

 

нФ

Cres

обратная переходная емкость

 

0,3

 

нФ

LCE

паразитная индуктивность коллектора-эмиттера

 

30

 

нГн

RCC'+EE'

суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера

температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C

 

0,75 (1)

 

мОм

 

td(on)

длительность задержки включения

VCC = 300 В, ICnom = 75 A

 

60

 

нс

tr

время нарастания

RGon = RGoff = 15 Ом, Tj = 125 °C

 

50

 

нс

td(off)

длительность задержки выключения

VGE = ± 15В

 

350

 

нс

tf

время спада

   

35

 

нс

Eon (Eoff)

рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)

   

3 (2,5)

 

мДж

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6

Популярное:

Генератор управляющих импульсов генератор импульс ток напряжение 1. Импульсная техника, как самостоятельная отрасль знаний, была вызвана к жизни бурным развитием радиотехники, разработкой импульсных методов исследований, широким внедрением в производстве автоматизации. Трудно указать область техники, где не использовались бы импульсные процессы. Они играют сущ ...